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一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管申请（专利权）人:四川广瑞半导体有限公司 摘要 本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的金氧半场效晶体管，包括栅极、源极、漏极、二氧化硅绝缘层、两个N区、一个P区、外延片，其中，P区上端面正对氧化硅绝缘层的部位向下凹陷形成定位凹槽，二氧化硅绝缘层下表面向下突出形成一个等腰梯形状凸起，等腰梯形状凸起嵌入定位凹槽内且与定位凹槽之间构成有容置容腔，外延片嵌入该容置空腔内且与容置空腔大小形状匹配。P区内设置有位于容置容腔正下方的附加P区，附加P区的掺杂浓度大于P区的掺杂浓度。本实用新型应用时，可以有效避免外延片出现图形漂移的情况。 上一篇一种可调式洗墙灯下一篇手袋(AM0032A) |