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一种绝缘栅双极型晶体管申请（专利权）人：四川广瑞半导体有限公司 摘要 本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括栅极、发射极、集电极、四个N+区、两个P区、偏移区、缓冲区、注入区，所述偏移区、缓冲区、注入区由上至下依次叠放，两个P区嵌入偏移区上侧，两个P区之间形成第一隔离区间，栅极设置在两个P区之间；每两个N+区嵌入一个P区上侧，设置在同一个P区中的两个N+区隔离形成第二隔离区间并且在第二隔离区间设置发射极；所述集电极设置在注入区下侧；所述晶体管还包括N沟道外延片，所述N沟道外延片设置在第二隔离区间；所述N沟道外延片靠近P区的一侧表面有角锥体。本实用新型使得沟道在形成过程中改变了沟道形成的速度，这样一方面缩短了沟道形成的时间，另一方面也使得沟道在形成过程中电导率的均匀性。 |