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一种改进结构的肖特基二极管申请（专利权）人：四川广瑞半导体有限公司 摘要 本实用新型公开了一种改进结构的肖特基二极管，包括由上至下依次设置的阳极金属层、N?外延层、N型基片、N+阴极层和阴极金属层，在阳极金属层与N?外延层接触的一端的四周设置有二氧化硅层，二极管的阳极设置在阳极金属层端，二极管的阴极设置在阴极金属层端，N?外延层向阳极金属层侧和/或N型基片侧外凸构成有凸起。本实用新型通过增加N?外延层的表面积，降低N?外延层的电阻值，这样就能保证N?外延层中的移动电子的数量，同时又能保证肖特基二极管的开关性能。 |