可编程非易失性存储器及其在半导体存储器件上的运用

申请（专利权）人：四川洪芯微科技有限公司

摘要

一种可重复编程非易失性存储器，为了提高数据写寿命和保持寿命，采用离子导体作为离子记忆存储。该离子导体掺杂碱性离子并且具有与其相邻的电阻加热器。可应用于可重复编程非易失性半导体器件。当其应用于半导体存储器时，至少所述半导体存储器的PN结终止表面的P型导电侧的部分，覆盖掺杂有碱性离子的离子导体薄膜作为离子存储器，并且具有与其相邻的电阻加热层。

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可编程非易失性存储器及其在半导体存储器件上的运用