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一种大功率IGBT芯片的封装结构申请（专利权）人：四川蓝彩电子科技有限公司 摘要 本实用新型公开了一种大功率IGBT芯片的封装结构，包括陶瓷基座（1）、IGBT芯片（7）、二极管芯片（8）和开口向下的封装壳体（2），所述封装壳体（2）焊接在陶瓷基座（1）的上表面，形成IGBT芯片（7）和二极管芯片（8）的容置空间；所述陶瓷基站（1）的上表面还设置有金属镀覆层（3）；所述IGBT芯片（7）和二极管芯片（8）焊接在所述金属镀覆层（3）上；所述陶瓷基座（1）上设置有开口向上的凹槽（9），所述凹槽（9）中安装有半导体制冷器（10），且所述半导体制冷器（10）的冷侧与金属镀覆层（3）接触。 上一篇一种内燃机驱动热电联产机组下一篇一种电镀废水过滤装置 |