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基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺

申请(专利权)人:四川上特科技有限公司;电子科技大学;四川绿然电子科技有限公司

摘要
本发明提供了基于双向TVS高压脉冲抑制的整流桥及其制作工艺。整流桥包括塑封体、四个同一技术指标的二极管芯片、一个双向TVS管芯片、四个引线的框架;双向TVS管芯片固定设于第一引线框架上,通过导线连接第三引线框架;其中两个二极管芯片固定设于第二引线框架上,顶面均为P型,分别通过导线连接第一、第三引线框架;另两个二极管芯片固定设于第四引线框架上,顶面均为N型,分别通过导线连接第一、第三引线框架;第一、第三引线框架作交流引脚,第二、第四引线框架分别作正、负极引脚。本发明还公开了上述整流桥的制作工艺。本发明中整流桥布局紧凑,有利于PCB板小型化发展,制造工艺与以往方法不同,方便生产。



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