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申请人：
三菱电机株式会社
摘要：
本公开的碳化硅半导体装置具备：第1导电类型半导体基板(10)上的第1导电类型漂移层(20)；漂移层的表层的第2导电类型阱区域(30)；第1导电类型源极区域(40)；形成于阱区域的俯视时的内部的宽度恒定的条纹状且端部折弯的第1导电类型第1离开区域(21)；与阱区域邻接地形成的第1导电类型的第2离开区域；栅极绝缘膜(50)；栅极电极(60)；第1离开区域上的肖特基电极(71)；以及源极电极(80)。
