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详细内容

一种玻璃钝化半导体器件及其制作方法

申请(专利权)人:四川洪芯微科技有限公司

摘要
一种以铝硅酸盐为基本成分的,例如氧PbO?或者ZnO?铝硅酸盐,氧化玻璃钝化半导体器件,其特征在于:为了增加该半导体器件在反向偏压和高应力下的可靠性,其包含玻璃钝化次表层,所述玻璃钝化次表层构成该玻璃钝化半导体的玻璃厚度的5%,并且含有表面浓度在8*1018cm?3至9*1019cm?3范围内的铯。



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