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首页 >> 成果发布 >>科技成果 >> 一种硅基器件接触孔的加工方法
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一种硅基器件接触孔的加工方法

  • 申请人：

  • 四川广义微电子股份有限公司

  • 摘要：

  • 本发明公开了一种硅基器件接触孔的加工方法，包括对硅基器件进行光刻、刻蚀、去胶，获得硅基器件接触孔；对硅基器件的接触孔进行前清洗；对前清洗后的接触孔处进行表面湿法处理以腐蚀接触孔处硅表面，获得粗糙度Ra为40A～900A的接触孔表面。本发明的一种硅基器件接触孔的加工方法，在设计端无需增加器件接触区面积、不降低单片晶圆有效管芯数目的情况下，通过表面湿法处理工艺对接触孔进行处理，腐蚀接触孔处的硅表面，提升硅表面的粗糙度，进而增加接触孔处硅表面的裸露面积，降低接触电阻，降低了整体的导通电阻，提升器件性能，降低生产成本。
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